āļāļģāļāļāļīāļāļēāļĒāļŠāļīāļāļāđāļēāđāļāļāļĒāđāļ
āđāļāļāđāļāļāļĢāđāļ§āļąāļāđāļĢāļāļāļąāļāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļļāļāļŦāļ āļđāļĄāļīāļŠāļđāļ āļĢāļļāđāļ ME SIL2 āļāļēāļ Gefran āđāļāđāļĢāļąāļāļāļēāļĢāļāļāļāđāļāļāļĄāļēāđāļāļ·āđāļāđāļāđāļāļēāļāđāļāļŠāļ āļēāļāđāļ§āļāļĨāđāļāļĄāļāļĩāđāļĄāļĩāļāļļāļāļŦāļ āļđāļĄāļīāļŠāļđāļāļāļķāļ 400°C āđāļāļĒāđāļāđāļĢāļ°āļāļāļŠāđāļāđāļĢāļāļāļąāļāđāļāļāđāļŪāļāļĢāļāļĨāļīāļāļāđāļēāļāļāļāļāđāļŦāļĨāļ§ Mercury āđāļāļ·āđāļāļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļāļĩāļĒāļĢāļāļāļāļāļēāļĢāļ§āļąāļ
āđāļāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ Thick Film Strain-Gauge āđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļāđāļĢāļāļāļąāļāđāļāđāļāļŠāļąāļāļāļēāļāđāļāļāđāļē āļāļĢāđāļāļĄāđāļāļĢāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļĩāđāļāļāļāļēāļāļāđāļāļāļ§āļēāļĄāļĢāđāļāļāđāļĨāļ°āđāļĢāļāļāļąāļāļŠāļđāļ
āļāļēāļĢāļĢāļąāļāļĢāļāļ SIL2 āļāļģāđāļŦāđāđāļŦāļĄāļēāļ°āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļēāļĢāđāļāđāļāļēāļāđāļāļĢāļ°āļāļāļāļ§āļāļāļļāļĄāļāļĩāđāļāđāļāļāļāļēāļĢāļāļ§āļēāļĄāļāđāļēāđāļāļ·āđāļāļāļ·āļāđāļĨāļ°āļāļ§āļēāļĄāļāļĨāļāļāļ āļąāļĒāļĢāļ°āļāļąāļāļŠāļđāļ
āđāļŦāļĄāļēāļ°āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļāļāļąāļāļĢāļĩāļāļāļĨāļēāļŠāļāļīāļ, āļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļĨāļīāđāļĄāļāļĢāđāđāļāļĢāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ, āđāļĨāļ°āļĢāļ°āļāļāļāļ§āļāļāļļāļĄāđāļĢāļāļāļąāļāđāļāđāļĢāļāļāļēāļāļāļĩāđāļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļĩāđāļĒāļāļŠāļđāļ
āļŠāļąāļāļāļēāļāđāļāļēāļāđāļāļļāļ: 420mA | āļĄāļēāļāļĢāļāļēāļāļāļ§āļēāļĄāļāļĨāļāļāļ āļąāļĒ: SIL2
KE SIL2 āđāļāđāđāļāļāđāļāđāļĨāļĒāļĩ Thick Film Extensimetric āđāļāļāļēāļĢāđāļāļĨāļāđāļĢāļāļāļąāļāđāļāđāļāļŠāļąāļāļāļēāļāđāļāļāđāļēāđāļāļ 420mA āđāļŦāđāļāļ§āļēāļĄāđāļĄāđāļāļĒāļģāđāļĨāļ°āļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļāļĩāļĒāļĢāđāļāļŠāļ āļēāļāđāļ§āļāļĨāđāļāļĄāļāļĩāđāļĄāļĩāļāļļāļāļŦāļ āļđāļĄāļīāļŠāļđāļāļāļķāļ 538°C (1000°F)
KE SIL2 āļāļ·āļāļāļēāļāđāļĨāļ·āļāļāļāļĩāđāļĄāļąāđāļāđāļāđāļāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļđāđāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĩāđāļāđāļāļāļāļēāļĢāđāļāļāđāļāļāļĢāđāļ§āļąāļāđāļĢāļāļāļąāļāļāļĩāđāđāļĄāđāļāļĒāļģ āļāļāļāļēāļ āđāļĨāļ°āļāļĨāļāļāļ āļąāļĒāđāļāļāļļāļāļŠāļ āļēāļ§āļ°āļāļēāļĢāļāļĨāļīāļ
āļŠāļąāļāļāļēāļāđāļāļēāļāđāļāļļāļ: 420mA | āļĄāļēāļāļĢāļāļēāļāļāļ§āļēāļĄāļāļĨāļāļāļ āļąāļĒ: Performance Level C
āđāļāđāļŦāļĨāļąāļāļāļēāļĢ Piezoresistive MEMS āđāļāļĒāđāļĢāļāļāļąāļāļāļ°āļāļđāļāļŠāđāļāļāđāļēāļāđāļĒāļ·āđāļāļŦāļāļēāđāļāļĒāļąāļāđāļāļĢāļāļŠāļĢāđāļēāļāļāļīāļĨāļīāļāļāļāļāļāļēāļāļāļīāđāļ§āļāļĩāđāļĄāļĩāļāļ§āļēāļĄāđāļĄāđāļāļĒāļģāļŠāļđāļ āđāļŦāđāļŠāļąāļāļāļēāļāļāļĩāđāđāļŠāļāļĩāļĒāļĢāđāļĨāļ°āļāļāļāļēāļāļāđāļāļŠāļ āļēāļāđāļ§āļāļĨāđāļāļĄāļāļĩāđāļĢāļļāļāđāļĢāļ
IE PLc āļāļ·āļāļāļēāļāđāļĨāļ·āļāļāļāļĩāđāļāļĨāļāļāļ āļąāļĒāđāļĨāļ°āļāļąāļāļŠāļĄāļąāļĒāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļđāđāļāļĢāļ°āļāļāļāļāļēāļĢāļāļĩāđāļāđāļāļāļāļēāļĢāđāļāļāđāļāļāļĢāđāļ§āļąāļāđāļĢāļāļāļąāļāđāļāļāđāļĢāđāļāļāļāđāļŦāļĨāļ§ āđāļŦāđāļāļ§āļēāļĄāđāļĄāđāļāļĒāļģāļŠāļđāļ āļāļāļāļēāļ āđāļĨāļ°āđāļŦāļĄāļēāļ°āļāļąāļāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢāļāļĨāļīāļāļāļĩāđāļāđāļāļāļāļēāļĢāļĄāļēāļāļĢāļāļēāļāļŠāļđāļāļŠāļļāļ
āļŠāļąāļāļāļēāļāđāļāļēāļāđāļāļļāļ: 420mA | āļĄāļēāļāļĢāļāļēāļāļāļ§āļēāļĄāļāļĨāļāļāļ āļąāļĒ: SIL2
WE SIL2 āļāļ·āļāļāļēāļāđāļĨāļ·āļāļāļāļĩāđāļĄāļąāđāļāđāļāđāļāđāļŠāļģāļŦāļĢāļąāļāļāļēāļāļ§āļąāļāđāļĢāļāļāļąāļāđāļāļŠāļ āļēāļ§āļ°āļāļļāļāļŦāļ āļđāļĄāļīāļŠāļđāļ āļāđāļ§āļĒāļĢāļ°āļāļāđāļŪāļāļĢāļāļĨāļīāļāđāļāļāđāļāļīāļĄāļāđāļģāļĄāļąāļāļāļĩāđāđāļŦāđāļāļ§āļēāļĄāđāļŠāļāļĩāļĒāļĢ āļāļĢāđāļāļĄāļāļ§āļēāļĄāđāļĄāđāļāļĒāļģāļĢāļ°āļāļąāļāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ āđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļĢāļąāļāļĢāļāļāļāđāļēāļāļāļ§āļēāļĄāļāļĨāļāļāļ āļąāļĒ SIL2 āļāļĩāđāļāļāļāđāļāļāļĒāđāđāļĢāļāļāļēāļāļāļĩāđāļāđāļāļāļāļēāļĢāļāļ§āļēāļĄāļāđāļēāđāļāļ·āđāļāļāļ·āļāļŠāļđāļāļŠāļļāļ
āđāļŦāļĄāļēāļ°āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļ: āđāļĢāļāļāļēāļāļāļĨāļēāļŠāļāļīāļ, āļĢāļ°āļāļāļāļ§āļāļāļļāļĄāļāļĢāļ°āļāļ§āļāļāļēāļĢ, āđāļāļĢāļ·āđāļāļāļāļąāļāļĢāļāļļāļāļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄāļāļĩāđāļĄāļĩāļāļļāļāļŦāļ āļđāļĄāļīāļŠāļđāļ